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实验设备
 
 

  1.ZS系列真空感应石墨化炉

       中频感应加热,真空度可达10-3Pa,采用双色集成式红外测温,最高温度可达3000℃。

  2.探针台

       放大倍数:112 
探针座四套 分辨率:5微米 
钨探针 针头直径20μm 


  3.超净无尘实验室

       万级超净实验室,局部百级

  4.化学实验室

       设备仪器配备齐全的化学实验室,拥有4个独立通风厨、真空手套箱、电加热套、高速离心机、冷藏箱、超声波清洗仪、真空(鼓风)干燥箱、超纯水机、涂膜机、水(油)浴锅、高压反应釜等等。

  5.岛津UV3600近红外、紫外可光分光光度计

       测试波长范围: 185-3300nm 
分辨率: 0.1nm 
谱带宽度: UV/Vis: 0.1/ 0.2/ 0. 5/ 1/ 2 / 3/5/8nm 8 段转换 
   NIR: 0.2, 0.5, 1, 2, 3, 5, 8, 12, 20, 32nm 10 段转换 
检测器:光电倍增管 / InGaAs /Cooled PbS 
杂散光: 0.00008%T 以下 (220nm,NaI 10g /L 溶液 ); 
   0.00005%T 以下 (340nm, NaNO2); 
   0.0005%T 以下 (1420nm, 水 ); 
   0.005%T 以下 (2365nm, 氯仿 ); 


  6.真空烧结炉

       真空烧结炉,主要用于硬质合金、磁性材料、陶瓷以及粉末材料的真空烧结,特别适用于稀土永磁材料钕-铁-硼及其它粉状材料的真空烧结。

  7.提拉涂膜机

       提拉涂膜机 用于液相制备薄膜材料而设计的精密仪器,可在不同液体中浸渍提拉生长薄膜。提拉速度、提拉高度、浸渍时间、镀膜次数(多次多层镀膜)、镀膜间隔时间均连续可调;对镀膜基质无特殊要求,运行稳定,可极大提高实验精度与实验效率。适用于硅片、晶片、玻璃、陶瓷、金属等所有固体材料表面涂覆工艺。

  8.电子束-热蒸发镀膜系统

       用于制备金属薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、光学薄膜等。具备4个电子束蒸发源和2个热蒸发源。

  9.紫外光刻曝光机

       MDA-400M型光刻机 精度0.8微米。 科研型有掩膜接触式光刻曝光机,主要用于中小规模集成电路、分离元器件和其它各种半导体元器件制造工艺中的对准及曝光光刻。

  10.匀胶机、烘胶机

       用于光刻胶的旋涂及烘烤

  11.冷等静压机

       冷等静压机

  12.三温区高温管式炉

       用于一维纳米结构的合成制备、掺杂。 三个独立可控温区,最高工作温度分别为1200度(左、右温区)和1400度(中温区)。

  13.日立荧光光谱仪F4600

       日立荧光光谱仪 F4600; 用于激发谱,发射谱的测量,主要应用于材料,生物,化学等学科。 主要指标:
1.波长范围200 ~ 750nm, 和零级光。 
2.扫描速度达30,000nm/min。
3.波长移动速度:60,000nm/min。
4.同等条件下最高灵敏度S/N≥150:1。 
5.波长准确度 ±2.0nm。

  14.快速退火炉

       用于材料、器件的快速退火,最高温度可达1200度。

  15.光电测试系统

       用于精密小信号的光电学测试,系统包括SR830锁相放大器、Keithely 2636源表测试仪、前置放大器、示波器等

  16.光栅光谱仪

       为器件光电测试提高连续可调的单色光源。包括两组150W氙灯、机械斩波器

  17.电化学工作站

       电化学工作站, 可进行循环伏安法、交流阻抗法、交流伏安法、电流滴定、电位滴定等测量,工作站可以同时进行两电极、三电极及四电极的工作方式,仪器还有外部信号输入通道,可在记录电化学信号的同时记录外部输入的电压信号,例如光谱信号,快速动力学反应信号等。

  8.LED综合性能测试系统

       LED综合性能测试仪器,能够进行LED光强分布系统,包括
(1)LED光强角度;
(2)LED电压光强曲线;
(3)LED性能参数;
(4)LED光强随时间变化、老化测试等等。

  19.岛津UV2550分光光度计

       日本岛津UV2550分光光度计。
测定波长范围 190~900nm 
谱带宽度 0.1~5nm 
分辨率 0.1nm 
杂散光 0.0003%以下

 
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